1.設備簡介

1）本品在加熱臺的蓋上內(nèi)置一個多通道氣孔模塊，在蓋的側面上增加了可控的氣體進出通道，該通道可與直徑8、10、12三種不同的氣管匹配，氣管可與空氣或惰性氣體的氣源（如空氣壓縮泵或氣體鋼瓶等，自配）相連。

2）本品上蓋內(nèi)部的多通道氣孔模塊采用三維立體氣道結構設計，大大延長氣體在蓋中通道經(jīng)過的路徑，從而可以把導入的常溫氣體溫度迅速升高十倍，保證內(nèi)置模塊中吹出的的氣體具有較高溫度，避免熱臺上的玻璃遇冷發(fā)生破碎。

3）本品采用超大功率加熱面板，保證熱臺溫度不會因為氣氛而發(fā)生明顯降低。

4）本品上蓋內(nèi)部的多通道氣孔模塊氣孔均勻分布在110X110mm 的范圍內(nèi)，保證熱臺中的氣氛均勻。

5）本品與加熱臺相連的接管端裝有三塊超大圓形散熱片，可以把溫度降到低，避免接管燙壞。

2.設備用途

1）本品可用于常規(guī)高溫加熱，最高溫度600度，且室溫到600度之間升溫速率可控。

2）本品還可用于流動氣氛高溫加熱，即在加熱的過程中，為受熱樣品提供一個可調控的流動氣體的保護氛圍。

3）基于可調控的流動氣體的功能，對于空氣敏感的樣品的加熱，本品不僅可以保護樣品不易氧化，而且還可以保護濕度敏感的樣品不易吸潮。

4）基于可調控的流動氣體的功能，對于半導體電極膜層的高溫燒結，本品可以使電極膜層中的高分子物質在高溫下形成碳化后隨著氣流迅速逃離膜層表面，不會堵塞納米孔，從而有利于電極膜層的造孔功能。